Halbleiter, Optoelektronik und FAB

HALBLEITER, OPTOELEKTRONIK UND FAB

Selbstorganisierte, nadelartige Nano-Strukturen und ihre Herstellung auf Silizium

Mithilfe eines RIE-Ätzverfahrens für Silizium (3) wird ohne jegliche zusätzliche Strukturierungsmaßnahme (e-beam, Interferenzlithographie, o.a.) durch Auswahl der Gasanteile des Ätzplasmas in einer Selbstorganisation eine kristallfehlerfreie, nadelförmige Struktur (4,4a) mit großem Aspektverhältnis und mit Nanodimensionen auf der Oberfläche von Siliziumscheiben erzeugt. Eine breitbandige Entspiegelung wird erreicht, die eine vielfältige Verwendung finden kann.

Zu WO 2007/042520 A2